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InAs晶體基片

簡要描述:砷化銦(InAs)晶體

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質:生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2025-02-10
  • 訪  問  量:1650

詳細介紹

產(chǎn)品名稱:

砷化銦(InAs)晶體

產(chǎn)品簡介:


技術參數(shù):

晶體結構:

立方  a =5.4505 ?

生長方法:

CZ

導電類型:

N型

摻雜類型:

不摻雜

載流子濃度:

2 ~ 5E16 / cm3 

遷移率:

>18500cm2/V.S 


常規(guī)尺寸:

常規(guī)晶向:<100>、<111>;

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm;

dia2″x0.5mm;拋光情況:單拋或雙拋;

表面粗糙度Ra:<15A

注:可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。

備注:

1000級超凈室100級超凈袋



Other InAs

InSb

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GaAs

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