PMN-PT晶體基片

簡要描述：PMN-PT晶體基片

產(chǎn)品型號：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時間：2024-10-22
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詳細介紹

產(chǎn)品名稱：

PMN-PT晶體基片

產(chǎn)品簡介：

用改進的Bridgman法生長出了高質(zhì)量的大尺寸弛豫鐵電單晶PMNT，該單晶具有優(yōu)異的壓電性能、非線性光學性能和熱釋電性能，不僅可以滿足應用需要成為新一代高性能壓電換能器、非線性光學器件和光電探測器件(如紅外探測器)的核心材料，而且還為廣大的科研人員提供了良好的研究載體，歡迎國內(nèi)外各科研院所和公司企業(yè)定購我們的單晶產(chǎn)品，進行相關(guān)的科學研究及器件研發(fā)和生產(chǎn)。

技術(shù)參數(shù)：

化學分子式:	(PbMg0.33Nb0.67O3 )1-x:(PbTiO3)x
結(jié)構(gòu):	R3m, Rhombohedral
晶格:	a0 ~4.024?(pseudo-cubic, varies with composition )
熔點:	1280 oC
密度：	8.1 g/cm3
壓電系數(shù)d33	>2000 pC/N
軸接常數(shù)：	k33 (longitudinal mode) >92% kt (thickness mode) 59-62% k33’ (beam mode) 84-88%
介電常數(shù)e ：	4000 – 6000 (at 1kHz after poling)
介電損耗：	tan d<0.9
居里溫度:	135-150°C
矯頑場大概：	2-3kV/cm
標準尺寸：	25× 25× 1mm3 plates along [001]

產(chǎn)品規(guī)格：

常規(guī)晶向：<100>, <001>, <111>；

晶向公差：+/-0.5度；

常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm,dia20x0.5mm

拋光情況：單拋或雙拋，Ra<5A

注：可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。

典型性能：

產(chǎn)品名稱：	PMN-PT <001>
密度：	8.1g/cm3
壓電常數(shù)d33：	1800-2400 Pc/N
耦合系數(shù)：	0.6-0.65Kt
耦合系數(shù)：	0.9-0.0.95kp
介電常數(shù)：	5000-7000
損耗：	<1
居里溫度：	145+/-3℃Zggx10（6）kg/m2s:29